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一種制備聚吡咯/凹凸棒土納米導(dǎo)電復(fù)合材料的方法

來源:中國凹凸棒土網(wǎng)    03-11 09:53
本發(fā)明公開了一種制備聚吡咯/凹凸棒土納米導(dǎo)電復(fù)合材料的方法,先向去離子水中加入凹凸棒土配制成凹凸棒土漿料,水與凹凸棒土的質(zhì)量比為4~19:1;將吡咯單體和摻雜劑分別加入到凹凸棒土漿料中攪拌均勻,吡咯與凹凸棒土的質(zhì)量比為0.1~0.5:1,摻雜劑與吡咯的摩爾比為0.15~1.05:1;再在混合漿料中加入氧化劑,氧化劑與吡咯的摩爾比為1~5:1,在10~60℃下化學(xué)氧化聚合10~30min;最后進行固液分離后用去離子水洗滌至濾液為無色;將濾餅于60~150℃下干燥、粉碎得到聚吡咯/凹凸棒土納米導(dǎo)電粉體。本發(fā)明采用快速化學(xué)氧化原位聚合的方法,在一維納米棒狀凹凸棒土單晶表面包覆上導(dǎo)電高分子聚吡咯制得,不需特殊前處理,合成工藝簡單快捷,導(dǎo)電性能優(yōu)異,熱穩(wěn)定性能優(yōu)良。
申請?zhí)?shy;
CN200810243156
申請日
2008.12.09
公開(公告)號­
CN101418122B
公開(公告)日
2010.12.08
IPC分類號
C08L79/04; H01B1/12; C08G73/06; C08K3/34
申請(專利權(quán))人
江蘇工業(yè)學(xué)院;
發(fā)明人
姚超;王文娟;陳志剛;李為民;高國生;羅士平;
優(yōu)先權(quán)號
 
優(yōu)先權(quán)日
 
申請人地址
江蘇省常州市鐘樓區(qū)白云路;
申請人郵編
213164;
CPC分類號
 

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