凹土/二氧化鈦/二氧化硅/聚苯胺納米導(dǎo)電復(fù)合材料及其制備方法
來(lái)源：中國(guó)凹凸棒土網(wǎng) 01-21 09:41
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種凹土/二氧化鈦/二氧化硅/聚苯胺納米導(dǎo)電復(fù)合材料，該材料以納米凹土為核體，核體外包覆有三層物質(zhì)，從里到外依次是納米二氧化鈦層、二氧化硅層和聚苯胺層，其質(zhì)量組成為：凹土100份，二氧化鈦20～150份，二氧化硅10～60份，聚苯胺30～200份。本發(fā)明還公開(kāi)了該材料的制備方法，包括5個(gè)步驟，首先，制備凹土漿體；其次為表面負(fù)載納米二氧化鈦過(guò)程；再次為表面包覆二氧化硅過(guò)程，接著為表面包覆導(dǎo)電聚苯胺過(guò)程；最后為后處理過(guò)程。本發(fā)明公開(kāi)的導(dǎo)電復(fù)合材料比重輕、易分散、不沉底、具有優(yōu)異導(dǎo)電性能的同時(shí)又兼具屏蔽紫外線性能，用途廣泛；其制備方法所需的工藝流程短、操作簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，具有良好市場(chǎng)前景。
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申請(qǐng)?zhí)?shy; |
CN200910263378 |
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申請(qǐng)日 |
2009.12.18 |
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公開(kāi)（公告）號(hào) |
CN101747625B |
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公開(kāi)（公告）日 |
2011.09.21 |
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IPC分類號(hào) |
C08L79/02; C08K3/34; C08K3/22; C08K3/36; C08G73/02; H01B1/00; D06M11/79; D06M11/46; C09D5/24; C09D5/08; C09D7/12; D06M15/61 |
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申請(qǐng)（專利權(quán)）人 |
南京理工大學(xué);江蘇工業(yè)學(xué)院; |
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發(fā)明人 |
汪信;姚超;曾永斌;陳志剛;郝青麗;朱俊武; |
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優(yōu)先權(quán)號(hào) |
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優(yōu)先權(quán)日 |
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申請(qǐng)人地址 |
江蘇省南京市孝陵衛(wèi)200號(hào); 江蘇省南京市孝陵衛(wèi)200號(hào); |
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申請(qǐng)人郵編 |
210094;210094; |
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CPC分類號(hào) |
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